Телефон для справок:
8-908-15-17-333
8-83168-5-25-02
Дальнее Константиново,
ул. Комсомольская, 31 А
Оптово-розничный магазин Д. Константиново,
Комсомольская 31А
Оптово-розничный магазин
Сравнение: 0
Избранное: 0
Сумма заказа:
0 a 0
Главная | Каталог | Компьютеры ноутбуки | Оперативная память для ноутбуков

Оперативная память для ноутбуков

Сортировать:
760 a
AMD Оперативная память Entertainment Edition R532G1601U1S-U DDR3 - 1x 2ГБ 1600МГц, DIMM, Ret
Подробнее

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.05x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 2. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 2. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 24 мес.. Тип поставки: Ret. Объем: 2 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Тайминги: 11-11-11-28

В наличии30 шт.
1 360 a
Оперативная память PATRIOT Модуль памяти SODIMM DDR3-1600 4GB PSD34G160081S
Подробнее

Комплектующие

В наличии30 шт.
1 540 a
AMD Оперативная память R534G1601S1S-UG DDR3 - 1x 4ГБ 1600МГц, для ноутбуков (SO-DIMM), Ret
Подробнее

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.095x0.046x0.007. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Объем: 4 ГБ. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Тайминги: 11-11-11-28. Тип поставки: Ret

В наличии20 шт.
1 780 a
PATRIOT Оперативная память PSD34G160081S DDR3 - 1x 4ГБ 1600МГц, для ноутбуков (SO-DIMM), Ret
Подробнее

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.06x0.015. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Латентность: CL11. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ

В наличии40 шт.
1 780 a
DIGMA Оперативная память DGMAS31600004D DDR3 - 1x 4ГБ 1600МГц, для ноутбуков (SO-DIMM), Ret
Подробнее

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.09x0.05x0.002. Вес упаковки (ед): 9E-03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Объем: 4 ГБ. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11-28. Латентность: CL11

В наличии40 шт.
1 900 a
PATRIOT Оперативная память PSD34G16002S DDR3 - 1x 4ГБ 1600МГц, для ноутбуков (SO-DIMM), Ret
Подробнее

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.01x0.06. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11

В наличии1 шт.
2 520 a
Оперативная память APACER 4Гб DDR3 SO-DIMM (DS.04G2K.KAM) 1600MHZ NON-ECC 2RX8 CL11 1,5V, AS04GFA60CAQBGJ
Подробнее

модуль памяти, DDR3 SO-DIMM, 4Гб, 1600МГц, CL11.

В наличии10 шт.
2 560 a
Оперативная память PATRIOT Модуль памяти SODIMM DDR3-1600 8GB PSD38G1600L2S
Подробнее

Комплектующие

В наличии30 шт.
2 980 a
Оперативная память QUMO DDR3 SODIMM 8GB QUM3S-8G1600C11L PC3-12800, 1600MHz, 1.35V OEM/RTL
Подробнее

В наличии40 шт.
2 980 a
DIGMA Оперативная память DGMAD31600008D DDR3 - 1x 8ГБ 1600МГц, DIMM, Ret
Подробнее

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.047x0.008. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Тайминги: 11-11-11-28. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11

В наличии40 шт.
3 110 a
Оперативная память CBR DDR4 SODIMM 4GB CD4-SS04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V
Подробнее

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

В наличии5 шт.
3 580 a
Оперативная память KINGSTON 4ГБ DDR3 SODIMM 1600MHz Non-ECC 1Rx8 CL11 (KVR16S11S8/4)
Подробнее

Модуль памяти DDR3 SODIMM 4Гб 1600MHz Non-ECC 1Rx8 CL11, Kingston

В наличии40 шт.

Показать еще

Введите номер страницы:

Недавно вы смотрели
Телевизор ASANO 24LH1010T-T2
7 630 a
Телевизор ASANO 24LH1010T-T2
Подробнее

23.6" (61см) LED, HD Ready (1366x768), DVB-T2/T/C, CI+ slot. Цвет: черный. 16: 9, яркость 200кд/м2, контрасность 1000: 1 ; 16.7 млн цветов, USB-медиаплеер (MKV, MOV, AVI, MP3, JPG), аудио 2х3Вт, 1хUSB, 1xHDMI, VGA, PC audio in, SCART, выход под наушники; телетекст, родительский контроль, PVR, Timeshift, Hotel Mode. VESA 100х100

В наличии
Телевизор ASANO 24LH1011T белый
8 110 a
Телевизор ASANO 24LH1011T белый
Подробнее

23.6" (61см) LED, HD Ready (1366x768), DVB-T2/T/C, CI+ slot. Цвет: БЕЛЫЙ. 16: 9, яркость 200кд/м2, контрасность 1000: 1 ; 16.7 млн цветов, USB-медиаплеер (MKV, MOV, AVI, MP3, JPG), аудио 2х3Вт, 1хUSB, 1xHDMI, VGA, PC audio in, SCART, выход под наушники; телетекст, родительский контроль, PVR, Timeshift, Hotel Mode. VESA 100х100

В наличии
Телевизор ASANO 24LH1020T
7 790 a
Телевизор ASANO 24LH1020T
Подробнее

23.6" (61см) LED, HD Ready (1366x768), DVB-T2/T/C, CI+ slot. Цвет: черный. 16: 9, яркость 200кд/м2, контрасность 1000: 1 ; 16.7 млн цветов, USB-медиаплеер (MKV, MOV, AVI, MP3, JPG), аудио 2х3Вт, 1хUSB, 1xHDMI, VGA, PC audio in, SCART, выход под наушники; телетекст, родительский контроль, PVR, Timeshift, Hotel Mode. VESA 100х100

В наличии
Телевизор ASANO 24LH1110T-T2
8 090 a
Телевизор ASANO 24LH1110T-T2
Подробнее

В наличии

Каталог 0
Корзина 0
Избранное 0
Сравнить