Оперативная память для ноутбуков

модуль памяти, DDR3 SO-DIMM, 4Гб, 1600МГц, CL11.

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD3-SS04G16M11-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR3 - 1600; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 12800.

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.09x0.05x0.002. Вес упаковки (ед): 9E-03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Объем: 4 ГБ. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11-28. Латентность: CL11

Модель PSD34G160081S Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (SPD) 1600МГц Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (SPD) 1.5В Напряжение (тест) 1.5В Задержка (SPD) 11-11-11 Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул Производителя PSD34G160081S Количество рангов (Ranks) single rank Конфигурация чипов 512x8 Количество чипов 8 Крепление чипов двустороннее Вес упаковки (ед)

Модуль памяти CBR DDR3 SODIMM - это надежный и качественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и стабильность работы компьютера. Он имеет объем 8 ГБ и частоту 1600 МГц, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных и запускать сложные программы. Модуль памяти CBR DDR3 SODIMM отличается высокой надежностью и долговечностью. Он изготовлен из качественных материалов и имеет защиту от перегрева, что обеспечивает его стабильную работу в течение длительного времени.

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.155x0.015x0.069. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 60 мес.. Тайминги: 11-11-11. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.05x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 24 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11-28. Объем: 8 ГБ. Тип поставки: Ret. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.093x0.045x0.006. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 1600 МГц. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Латентность: CL11. Тип поставки: Ret. Тайминги: 11-11-11-28. Объем: 8 ГБ

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.047x0.008. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Тайминги: 11-11-11-28. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: DS.08G2K.KAM

[Модуль памяти] Patriot DDR3 SODIMM 8GB PSD38G16002S (PC3-12800, 1600MHz, 1.5V)

Тип: DDR3, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 1600 MHz, форм-фактор: SODIMM 204-контактный, скорость: PC-12800, поддержка ECC: нет, поддержка XMP нет, низкопрофильная Low Profile: нет, буферизованная Registered: нет (QUM3S-8G1600C11R)