Оперативная память для ноутбуков

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.061x0.011. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Объем: 4 ГБ. Тайминги: 11-11-11

Тип: DDR3L, объём: 1 модуль на 4Gb, тактовая частота: 1600 MHz, форм-фактор: SODIMM 204-контактный, скорость: PC-12800, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет (PSD34G1600L2S)

Тип памяти: DDR2. Тактовая частота: 800. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC2-6400. Скорость (SPD): 800. Напряжение (SPD): 1.8В. Напряжение: 1.8В. Задержка (SPD): 6-6-6. Задержка: 6-6-6. Латентность (CAS): CL6. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.06x0.02. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 6. Row Precharge Delay (tRP): 6. Объем одного модуля: 2. Пропускная способность: 6400. Суммарный объем памяти всего комплекта: 2. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Объем: 2 ГБ. Латентность: CL6. Тайминги: 6-6-6. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 800 МГц

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3L-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.097x0.014x0.05. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 999 мес.. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.155x0.015x0.069. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 60 мес.. Тайминги: 11-11-11. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.05x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 24 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11-28. Объем: 8 ГБ. Тип поставки: Ret. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.06x0.016. Вес упаковки (ед): 0.01. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 60 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тип поставки: Ret. Частота: 1600 МГц. Объем: 1х 8 ГБ. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.13x0.07x0.01. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тип поставки: Ret. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 11-11-11

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: KVR16LS11/4

204-pin; частота: 1600; латентность: CL11; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: OEM

Тип: DDR3, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 1600 MHz, форм-фактор: SODIMM 204-контактный, скорость: PC-12800, поддержка ECC: нет, поддержка XMP нет, низкопрофильная Low Profile: нет, буферизованная Registered: нет (QUM3S-8G1600C11R)