Оперативная память для ноутбуков

Комплектующие

Модуль памяти CBR DDR3 SODIMM - это надежный и качественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и стабильность работы компьютера. Он имеет объем 8 ГБ и частоту 1600 МГц, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных и запускать сложные программы. Модуль памяти CBR DDR3 SODIMM отличается высокой надежностью и долговечностью. Он изготовлен из качественных материалов и имеет защиту от перегрева, что обеспечивает его стабильную работу в течение длительного времени.

Тип оперативной памяти: DDR3 | Частота работы оперативной памяти: 1600 | Общий объём памяти: 4Гб | Напряжение питания: 1.5 | Форм-фактор модуля: 204-pin SO DIMM | Объем упаковки, м3: 2.44E-5 | Вес упаковки, кг: 0.01 |

Модуль памяти DDR3 SODIMM 4Гб 1600MHz Non-ECC 1Rx8 CL11, Kingston

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2400. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-19200. Напряжение: 1.2В. Задержка: 16-16-16-36. Латентность (CAS): CL16. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.095x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 16. Row Precharge Delay (tRP): 16. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 19200. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Латентность: CL16. Тайминги: 16-16-16-36. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Частота: 2400 МГц

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.062x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тип поставки: Ret. Латентность: CL11. Частота: 1600 МГц. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Объем: 8 ГБ

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.35В. Напряжение: 1.35В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL11

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.09x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Объем: 4 ГБ. Тайминги: 22-22-22-52. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 3200 МГц