Оперативная память для ноутбуков

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 19-19-19-43. Латентность (CAS): CL19. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.08x0.043x0.005. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 2666 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL19. Тайминги: 19-19-19-43

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: DS.08G2K.KAM

204-pin; частота: 1600; латентность: CL11; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret

[Модуль памяти] Digma DDR4 SODIMM 8GB DGMAS42666008D PC4-21300, 2666MHz

Модель R748G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-18-18-35 Латентность CL16 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R748G2606S2S-U Вес упаковки (ед) 0.017 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065182354 .

Модуль памяти CBR CD4-SS08G26M19-01 SODIMM DDR4 емкостью 8ГБ, частотой 2666МГц (PC4-21300), non ECC, предназначен для использования в ноутбуках. DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2666 MHz, форм-фактор: SODIMM 260-контактный, скорость: PC-21300, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, CD4-SS08G26M19-01

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.35В. Напряжение: 1.35В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Тайминги: 11-11-11. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11

[Модуль памяти] QUMO DDR4 SODIMM 8GB QUM4S-8G3200C22 PC4-25600, 3200MHz for INTEL Only