Жесткие диски SSD

[накопитель] Silicon Power SSD 2TB A55, 2.5", [R/W - 500/450 MB/s] TLC ( SATA III)

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 450. Максимальная скорость чтения: 500. Объем накопителя: 2. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 2.1. Форм-фактор: M.2 2280. Тип поставки: oem. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.08x0.042x0.003. Вес упаковки (ед): 0.02. Вес устройства: 7. Ключ M.2 разъема: M/B. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 36 мес.. Ресурс TBW: 640 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Ресурс: TBW 640 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.1 мм. Скорость: чтения до 500 МБ/с, записи до 450 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

Максимальная скорость записи: 5200. Максимальная скорость чтения: 6200. Объем накопителя: 1.95. Особенности: скорость последовательного чтения на PS5 достигает 6000 МБ/с, графеновый радиатор. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 3.8. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.13x0.1x0.01. Вес упаковки (ед): 0.02. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 11. Ключ M.2 разъема: M. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 60 мес.. Ресурс TBW: 640 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 1.95 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 6200 МБ/с, записи до 5200 МБ/с. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; совместим с PS5. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.8 мм. Ресурс: TBW 640 ТБ

Время наработки на отказ: 1750000. Максимальная скорость записи: 6700. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1300000. Максимальная скорость чтения: 7100. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 4.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1000000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: QLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.125x0.105x0.022. Вес упаковки (ед): 0.05. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 5.7. Ключ M.2 разъема: M. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 900 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Память: тип NAND: QLC. Скорость: чтения до 7100 МБ/с, записи до 6700 МБ/с. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Ресурс: TBW 900 ТБ; время наработки: 1750000 ч. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Цвет: черный | Форм-фактор: M.2 | Модель: AP2TBAS2280F4L-1 | Ширина, мм: 100 | Высота, мм: 5 | Глубина, мм: 30 | Назначение: внутренний | Объем накопителя SSD: 2Тб | Тип флэш-памяти: TLC | Скорость записи, МБ/сек: 8700.00 | Скорость чтения, МБ/сек: 10500.00 | Время наработки на отказ: 1500000.00 | Ресурс TBW: 1200.00 | Объем, м3: 0.0001 | Вес, кг: 0.05 | Контроллер NAND: 3D | DRAM буфер: нет | Интерфейс: PCI-e |

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/EU (SATA3)

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Серия: 980 Модель: MZ-V8V1T0BW PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V8V1T0BW Объем накопителя: 1024 ГБ Максимальная скорость чтения: 3500 МБ/с Максимальная скорость записи: 3000 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 500000 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000 Поддержка NVMe: ДА Потребляемая мощность: 5.3 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.045 Вт Вес упаковки (ед): 0.122 кг Разъем: M.2 Ударостойкость при хранении: 1500 G Толщина товара: 2.38 мм Тип жесткого диска: SSD Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000 Интерфейс: PCIe 3.0 x4 Ресурс TBW: 600 ТБ Поддержка TRIM: ДА Ширина товара: 22.15 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 8 грамм Ключ M.2 разъема: M Ударостойкость при работе: 1500 G Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Назначение: для ноутбука, для ПК Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.02 м Объем упаковки (ед): 0.0

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Объем накопителя: 1024 ГБ Серия: 990 Pro Модель: MZ-V9P1T0CW PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9P1T0CW Радиатор охлаждения: ДА Максимальная скорость чтения: 7450 МБ/с Максимальная скорость записи: 6900 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Разъем: M.2 Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1200000 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000 Потребляемая мощность: 7.8 Вт Ресурс TBW: 600 ТБ Мощность в режиме ожидания: 0.05 Вт Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G DRAM буфер: ДА Объем DRAM буфера: 1024 МБ Совместимость с PS5: ДА Тип жесткого диска: SSD Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000 Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Поддержка TRIM: ДА Толщина товара: 8.2 мм Ширина товара: 24.3 мм Длина товара: 80 мм Вес устройства: 28 грамм Ключ M.2 разъема: M Для геймеров: ДА Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Назначение: для ПК Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.023x0.165

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 500. Максимальная скорость чтения: 540. Объем накопителя: 2. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.13x0.1x0.013. Вес упаковки (ед): 0.07. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 720 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Память: тип NAND: TLC. Скорость: чтения до 540 МБ/с, записи до 500 МБ/с. Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 720 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller. Максимальная скорость записи: 3000. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000. Максимальная скорость чтения: 3500. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 5.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 500000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.021. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 8. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 150000

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Realtek RTS5766DL. Максимальная скорость записи: 1800. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 150000. Максимальная скорость чтения: 2400. Объем накопителя: 2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 200000. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 3.13. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.13x0.105x0.015. Вес упаковки (ед): 0.04. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 36 мес.. Ресурс TBW: 520 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 2400 МБ/с, записи до 1800 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 3.13 мм. Ресурс: TBW 520 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe